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硅基納秒高速光開關廠家直供

簡要描述：硅基納秒高速光開關廠家直供
無移動組件；
切換速度快；
極其穩(wěn)定的鎖存模式；
低功耗；
好的穩(wěn)定性和可靠性。
二、應用
高速保護；
系統(tǒng)監(jiān)控；
?測試測量。

產(chǎn)品型號：梓冠
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-12-29
訪問量：1952

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光開關矩陣 mems光開關器件硅基高速納秒光開關模塊硅基光開關陣列電光納秒光開關 MEMS光開關陣列機械式光開關模塊機械式光開關1x2,2x2 臺式光開關 MEMS光開關1XN 1x4 1x8雙向磁光開關 1x2 2x2 磁光開關

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詳細介紹

品牌	梓冠	價格區(qū)間	面議
組件類別	光學元件	應用領域	化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
波長	1525~1565nm	封裝形式	器件

硅基納秒高速光開關

無移動組件；

切換速度快；

極其穩(wěn)定的鎖存模式；

低功耗；

好的穩(wěn)定性和可靠性。

二、應用

高速保護；

系統(tǒng)監(jiān)控；

測試測量。

三、規(guī)格參數(shù)

參數(shù)	單位	范圍
波長范圍	nm	1540~1560
插入損耗	dB	直通損耗：1.8~2；交叉損耗：1.8~2；
偏振相關損耗	dB	0.3~0.5
開關時間	ns	200~350
回波損耗	dB	40~50
串擾	dB	-20~-17
供電電壓	v	5
供電電流	mA	環(huán)境溫度≥25℃，100mA；環(huán)境溫度≤25℃，900mA
控制信號（TTL3.3V信號）		高電平2V≤VIH≤5V；低電平0V≤VIL≤0.8V；
光接口		FC/APC
尾纖		以松纖方式引出，帶松套管，長度1m
工作溫度	℃	-25℃~45℃
貯存溫度（℃）	℃	-55℃~85℃

要求：對于任意型號2×2光開關，輸入和輸出編號相同時候為直通傳輸，不同為交叉?zhèn)鬏敗?/span>

尺寸項目	尺寸值（mm）
L：長（mm）	90±0.3
W：寬（mm）	50±0.3
H：高（mm）	13.5±0.2
安裝孔間距（mm）	84.5±0.15
安裝孔間距（mm）	44.5±0.15
固定孔（4個）

一、納秒光開關的定義

　　納秒光開關是指通過激光等高速脈沖信號控制物質(zhì)在極短時間內(nèi)從一個狀態(tài)轉(zhuǎn)化到另一個狀態(tài)的裝置。其優(yōu)點在于具有快速、精準、可靠等特點，常用于激光器、通信和雷達系統(tǒng)等領域。

　　二、納秒光開關的原理

　　1. 光學調(diào)制原理：利用非線性效應使得入射激光束變成強度與頻率不同的多條輸出波；

　　2. 伏安特性：物質(zhì)存在著一種結(jié)構(gòu)及電子能態(tài)上有效區(qū)分兩種核心狀態(tài)之機制；

　　3. 快速反應：由于采用了超短脈沖技術，導致反應快速且穩(wěn)定。

　　三、納秒光開關的分類

　　根據(jù)實現(xiàn)方式和結(jié)構(gòu)形式可以將其分為以下幾類：

　　1. 塊體型硅基互連網(wǎng)絡集成芯片（Si-photonic IC）；

　　2. 調(diào)寬型互補金屬氧化物半導體（CMOS）方案，包括晶體管級聯(lián)型以及集成電路（IC）相關方法；

　　3. 利用微細加工技術和表面等離子體等物理學效應實現(xiàn)的納米結(jié)構(gòu)光開關；

　　4. 超快速激光器技術與相干控制法。

　　四、納秒光開關的應用

　　1. 電信領域：適合于高速網(wǎng)絡數(shù)據(jù)傳輸中對信號進行瞬間調(diào)整和處理；

　　2. 光通訊領域：可用于調(diào)節(jié)和分配不同波長光，在多波長復合系統(tǒng)中具有重要意義；

　　3. 全息成像及其它相關精密測量技術方面，如在超快脈沖全息成像等方面具有廣闊前景。

　　五、總結(jié)

　　納秒光開關作為一種集*工藝和科學技術的產(chǎn)品，正在迅速擴展到新型微流控芯片、晶體管級聯(lián)以及全自動化生產(chǎn)等多個領域，并且還有大量未被發(fā)現(xiàn)或廣泛利用的局部區(qū)域需要挖掘。

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